중국 화웨이, EUV 없이 1.4나노급 성능 구현…HBM 경쟁 판도 바꿀까

미세공정 대신 3D 적층 기술로 승부수 던진 화웨이

중국 화웨이가 미국의 반도체 제재를 우회하기 위해 EUV 노광장비 없이도 1.4나노급 성능을 낼 수 있는 새로운 반도체 설계 기술을 공개했습니다. 이는 기존의 미세공정 경쟁에서 벗어나 칩을 수직으로 쌓는 3차원 설계 혁신으로 방향을 전환한 것으로 분석됩니다. 업계에서는 이 기술이 AI 반도체 및 HBM 경쟁 구도에 영향을 줄 수 있는 새로운 전략으로 주목하고 있습니다.

 

 

 

 

화웨이의 '로직폴딩' 기술과 향후 목표

화웨이가 공개한 '로직폴딩' 기술은 칩 안의 회로를 평면으로 늘어놓는 대신 위아래로 접고 쌓아 신호 이동 거리를 줄이는 개념입니다. 이 기술을 통해 화웨이는 2031년까지 1.4나노급 반도체를 구현하겠다는 목표를 제시했습니다. 이는 미국 제재로 접근이 어려운 EUV 장비 의존도를 낮추면서 첨단 반도체 기술 격차를 좁히려는 의도로 풀이됩니다.

 

 

 

 

기술적 과제와 HBM 시장에 미칠 영향

전문가들은 화웨이의 기술이 양산성, 발열, 수율 문제 등 넘어야 할 기술적 장벽이 많다고 지적합니다. 특히 칩을 여러 층으로 쌓을수록 생산 효율과 비용 부담이 커질 수 있습니다. 그럼에도 불구하고, 로직폴딩 기술이 차세대 HBM과도 연결될 수 있다는 점에서 중국의 HBM 개발 속도가 빨라질 가능성이 제기되고 있습니다.

 

 

 

 

중국의 우회형 자립 전략과 한국 반도체 산업의 과제

미국의 제재가 오히려 중국의 '우회형 자립'을 자극하고 있다는 분석이 나옵니다. 중국은 설계 생태계 자립에도 속도를 내고 있으며, 이는 장기적으로 한국의 HBM 경쟁력을 흔들 수 있습니다. 한국 반도체 산업은 제조 경쟁을 넘어 소프트웨어 중심 구조로 이동하고, AI 생태계를 장악하는 전략을 모색해야 할 필요성이 제기됩니다.